Montag, 24. Dezember 2012

Wie berechne ich die Einschaltverzugszeit beim Mosfet Transistor?

Question by FresitaChiCk: Wie berechne ich die Einschaltverzugszeit beim Mosfet Transistor?
Ich habe ein Power Mosfet und ein Diagram gegeben wo die Spannung zwischen Gate und Source von der Ladung des Gates abhängt. Vor dem Gate ist ein ohmscher Widerstand R geschaltet.


Best answer:

Answer by Hispanico
Pues puede que si y puede que no.



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1 Kommentar:

  1. Zum Schalten muss das Gate über den Widerstand R geladen bzw. umgeladen werden.

    Für eine Abschätzung: Das Ersatzschaltbild wäre der Widerstand R mit einem Kondenstator C gegen Source.

    Die Kapazität C des Gates folgt aus der Abhängigkeit von Ladung Q des Gates und Spannung U zwischen Gate und Source und der Gleichung Q = C U. Typische Gatekapazitäten bei Power Mosfets liegen im Bereich 2 .. 10 nF.

    Die Zeitkonstante für das RC Glied ist tau = R C. Über den Daumen 3 * tau für die Schaltzeit.

    Mehr Aufwand ist der Weg über das Integral Q = Integral I. Der Strom I(t) ergibt sich aus dem Potential am Gate Ug(t) und der Eingangsspannung Ue(t) am "anderen Ende" des Widerstands R:
    I(t) = ( Ue(t) - Ug(t) ) / R
    Ue wird vermutlich eine Konstante sein. Ue(t) = Ue.
    I(t) = ( Ue - Ug(t) ) / R
    Ausgehend vom Zeitpunkt t = 0, Ug(0) = 0V, Q(t) = 0 kann man nun Schrittweise integrieten. In jedem Integrationsschritt t = t + dt wird die Ladung Q( t + dt ) berechnet. Für den nächsten Schritt folgt dann die Spannung Ug aus dem Diagramm.

    Für die Geraden Abschnitt im Q - Ug Diagramm kann man das Integral analytisch berechnen und so Schritt für Schritt zusammen stückeln.

    Das ist im Prinzip das Aufladen eines Kondensators, dessen Kapazität von der Ladespannung abhängt.

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